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中級(jí)會(huì)員 | 第11年

18916157635

  • 微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的微波PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 10:54:07 對(duì)比
    等離子化學(xué)氣相沉積微波PECVD進(jìn)口微波PECVD
  • 光學(xué)鍍膜設(shè)備

    光學(xué)鍍膜設(shè)備：NANO-MASTER NOC-4000光學(xué)涂覆系統(tǒng)提供*進(jìn)的技術(shù)，在一個(gè)腔體中實(shí)現(xiàn)原子級(jí)清洗和光學(xué)樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級(jí)腔體中對(duì)同一樣...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 10:51:38 對(duì)比
    光學(xué)鍍膜設(shè)備光學(xué)元件原子級(jí)鍍膜光學(xué)元件鍍膜機(jī)光學(xué)元件清洗鍍膜
  • 光學(xué)鍍膜系統(tǒng)

    光學(xué)鍍膜系統(tǒng)：NANO-MASTER NOC-4000光學(xué)涂覆系統(tǒng)提供*進(jìn)的技術(shù)，在一個(gè)腔體中實(shí)現(xiàn)原子級(jí)清洗和光學(xué)樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級(jí)腔體中對(duì)同一樣...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 10:49:11 對(duì)比
    光學(xué)鍍膜系統(tǒng)光學(xué)元件原子級(jí)鍍膜光學(xué)元件鍍膜機(jī)光學(xué)元件清洗鍍膜
  • 進(jìn)口光學(xué)鍍膜機(jī)

    NOC-4000進(jìn)口光學(xué)鍍膜機(jī)：NANO-MASTER NOC-4000光學(xué)涂覆系統(tǒng)提供*進(jìn)的技術(shù)，在一個(gè)腔體中實(shí)現(xiàn)原子級(jí)清洗和光學(xué)樣片拋光，然后把樣片傳送到第...

    型號(hào)： NOC-4000 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 10:11:09 對(duì)比
    光學(xué)元件原子級(jí)鍍膜光學(xué)元件原子級(jí)鍍膜光學(xué)元件清洗鍍膜光學(xué)元件鍍膜機(jī)離子束刻蝕濺射鍍膜
  • NPD-4000（A）全自動(dòng)PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)

    NPD-4000（A）全自動(dòng)PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導(dǎo)致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:42:47 對(duì)比
    全自動(dòng)PLD系統(tǒng)全自動(dòng)激光脈沖沉積
  • NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)

    NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導(dǎo)致靶物質(zhì)快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質(zhì)由容易逃出與電離的核素組成。...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:40:28 對(duì)比
    進(jìn)口PLD系統(tǒng)脈沖激光沉積系統(tǒng)進(jìn)口PLD價(jià)格脈沖激光燒蝕PLA激光蒸發(fā)鍍膜
  • 全自動(dòng)電子束蒸發(fā)系統(tǒng)

    NEE-4000（A）全自動(dòng)電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔配置，樣品臺(tái)位于主腔體，二級(jí)腔體則用于安置電子束源。兩腔體之間的門閥作為預(yù)真空鎖...

    型號(hào)： NEE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:38:28 對(duì)比
    全自動(dòng)電子束蒸發(fā)臺(tái)進(jìn)口全自動(dòng)電子束系統(tǒng)全自動(dòng)E-Baeam系統(tǒng)
  • NEE-4000（M）電子束蒸發(fā)系統(tǒng)

    NEE-4000（M）電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔體的配置，樣品臺(tái)位于主腔體，二級(jí)腔體則用于安置電子束源。兩個(gè)腔體之間的門閥可以作為預(yù)真...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:36:37 對(duì)比
    NEE-4000電子束蒸發(fā)臺(tái)進(jìn)口電子束蒸發(fā)鍍膜電子束蒸發(fā)鍍膜儀電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備E-Beam
  • NTE-4000（A）全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)

    NTE-4000（A）全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動(dòng)立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝特點(diǎn)。具有...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:34:50 對(duì)比
    NTE-4000全自動(dòng)熱蒸鍍進(jìn)口全自動(dòng)熱蒸鍍系統(tǒng)全自動(dòng)熱蒸發(fā)臺(tái)全自動(dòng)熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
  • NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)

    NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-4000是PC控制的立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:32:32 對(duì)比
    NTE-4000熱蒸鍍進(jìn)口熱蒸鍍系統(tǒng)進(jìn)口熱蒸發(fā)臺(tái)進(jìn)口熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
  • 全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)

    NTE-3500（A）全自動(dòng)熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動(dòng)立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝特點(diǎn)。具有...

    型號(hào)： NTE-3500（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:30:27 對(duì)比
    NTE-3500全自動(dòng)熱蒸鍍進(jìn)口全自動(dòng)熱蒸鍍系統(tǒng)全自動(dòng)熱蒸發(fā)臺(tái)全自動(dòng)熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
  • NTE-3500（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)

    NTE-3500（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3500是PC控制的緊湊型立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:27:57 對(duì)比
    NTE-3500熱蒸鍍進(jìn)口熱蒸鍍系統(tǒng)熱蒸發(fā)臺(tái)熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
  • NTE-3000熱蒸發(fā)系統(tǒng)

    NTE-3000熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3000是PC控制的臺(tái)式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機(jī)物和金屬沉積方面具有廣泛的應(yīng)用。設(shè)備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復(fù)的工藝...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:25:56 對(duì)比
    NTE-3000熱蒸鍍進(jìn)口熱蒸鍍系統(tǒng)熱蒸發(fā)臺(tái)熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備
  • 全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（ICPA）全自動(dòng)ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達(dá)6" 基片...

    型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:03:44 對(duì)比
    進(jìn)口全自動(dòng)ICPECVDICP PECVD
  • ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片...

    型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 9:01:22 對(duì)比
    進(jìn)口ICPECVDICPPECVD
  • 全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（A）全自動(dòng)PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋...

    型號(hào)： NPE-4000（... 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:59:11 對(duì)比
    進(jìn)口PECVD進(jìn)口全自動(dòng)PECVD等離子化學(xué)氣相沉
  • NPE-4000（M）PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-4000（M）PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:57:07 對(duì)比
    進(jìn)口PECVD進(jìn)口等離子體PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉
  • NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:55:15 對(duì)比
    進(jìn)口PECVD進(jìn)口等離子體PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉
  • NPE-3000 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

    NPE-3000 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達(dá)12" 的基片.淋浴頭電極或...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:53:32 對(duì)比
    進(jìn)口PECVD臺(tái)式PECVD進(jìn)口等離子體PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉
  • NSC-4000（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)

    NSC-4000（A）全自動(dòng)磁控濺射系統(tǒng)：立式自動(dòng)系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉(zhuǎn)平臺(tái)，Z大可支持到4個(gè)偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配...

    型號(hào)： 所在地：國(guó)外參考價(jià)： 面議更新時(shí)間：2025/4/28 8:51:32 對(duì)比
    磁控濺射鍍膜系統(tǒng)進(jìn)口全自動(dòng)磁控濺射臺(tái)全自動(dòng)磁控濺射鍍膜儀全自動(dòng)磁控濺射鍍膜機(jī)
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